The damage to edge sections which occurs during the patterning of a metal-oxide-containing layer can be compensated by the deposition of an annealing layer and a subsequent heat treatment step through which a material flow takes place from the annealing layer into the damaged edge sections. The metal-oxide-containing layer can form the dielectric of a storage capacitor of a DRAM memory cell.

Il danneggiamento delle sezioni del bordo che si presenta durante il modello di uno strato metallo-ossido-contenente può essere compensato tramite il deposito di uno strato di ricottura e di un punto successivo di trattamento di calore con cui un flusso di materiale prende il posto dallo strato di ricottura nelle sezioni danneggiate del bordo. Lo strato metallo-ossido-contenente può formare il dielettrico di un condensatore di immagazzinaggio di una cellula di memoria di DRAM.