An alternating current thin-film lectroluminescent device includes a plurality of pixel electrodes. An electroluminescent phosphor material is located between a first dielectric layer and a second dielectric layer. A transparent electrode layer, wherein at least a portion 10 of the electroluminescent phosphor material and the first and second dielectric layers are located between the pixel electrodes and the transparent electrode layer. The first dielectric layer is closer to the transparent electrode layer than the second dielectric layer. A non-uniform substantially non-conductive light absorbing material is located between the transparent electrode layer and the first dielectric layer.

Eine lectroluminescent Dünnfilmvorrichtung des Wechselstroms schließt eine Mehrzahl der Pixelelektroden ein. Ein Leuchtphosphormaterial befindet sich zwischen einer ersten dielektrischen Schicht und einer zweiten dielektrischen Schicht. Eine transparente Elektrode Schicht, worin mindestens ein Teil 10 des Leuchtphosphormaterials und die ersten und zweiten dielektrischen Schichten zwischen den Pixelelektroden und der transparenten Elektrode Schicht sich befinden. Die erste dielektrische Schicht ist näeher an der transparenten Elektrode Schicht als die zweite dielektrische Schicht. Ein nichtgleichförmiqes im wesentlichen nicht leitfähiges helles saugfähiges Material befindet sich zwischen der transparenten Elektrode Schicht und der ersten dielektrischen Schicht.