A microelectromechanical system (MEMS) motion sensor is disclosed for detecting movement in three dimensions of a semiconductor wafer structure. The MEMS device has top, middle, and bottom layers, with a mover attached to the middle layer by a flexure that allows the mover to move in three dimensions relative to the layers. The mover has mover electrodes that create a capacitance with counter electrodes positioned on an adjacent layer. The capacitance changes as the mover moves. A capacitance detector receives signals from the electrodes and detects movement of the mover based on the change in capacitances. The MEMS device processes the detected capacitances to determine the nature of the movement of the mover. The mover and counter electrodes comprise x-y electrodes for detecting movement in an x-y plane parallel to the middle layer and z electrodes for detecting movement in a direction orthogonal to the x-y plane.

Ein microelectromechanical System (MEMS) Bewegung Sensor wird für das Ermitteln der Bewegung in drei Maßen einer Halbleiterplättchenstruktur freigegeben. Die MEMS Vorrichtung hat Oberseite, Mitte und Unterseite Schichten, wenn ein Urheber zur mittleren Schicht angebracht ist, durch eine Biegung, die dem Urheber erlaubt, in drei Maße im Verhältnis zu den Schichten umzuziehen. Der Urheber hat Urheberelektroden, die eine Kapazitanz mit den Gegenelektroden verursachen, die auf eine angrenzende Schicht in Position gebracht werden. Die Kapazitanzänderungen als die Urheberbewegungen. Ein Kapazitanzdetektor empfängt Signale von den Elektroden und ermittelt Bewegung des Urhebers, der auf der Änderung in den Kapazitanzen basiert. Die MEMS Vorrichtung verarbeitet die ermittelten Kapazitanzen, um die Natur der Bewegung des Urhebers festzustellen. Der Urheber und die Gegenelektroden enthalten x-y Elektroden für das Ermitteln der Bewegung in einer x-y Fläche, die zur mittleren Schicht und zu den z Elektroden für das Ermitteln der Bewegung in einer Richtung parallel ist, die zur x-y Fläche orthogonal ist.