Zincselenide (ZnSe) thin films were grown on quartz glass and GaAs(100) substrates by continuous wave (CW) CO.sub.2 laser with ion beam assisted deposition. The ZnSe thin films are applied for multilayer anti-reflection coatings and blue light emitting devices. There are advantages to this technique over the Ion-Beam coating, MBE, MOCVD and PLD methods for fabricating layered semiconductors. It is cheaper and safer than Ion-Beam coating, MBE, MOCVD and others. It is cheaper and safer to heat the target locally by using a continuous wave laser so that contaminations and heat radiation are reduced. It is also cheaper and safer to avoid the splash of PLD.

Пленки Zincselenide (ZnSe) тонкие вырослись на кварце стеклянном и GaAs(100) субстраты лазером CO.sub.2 незатухающей волны (ПО ЧАСОВОЙ СТРЕЛКЕ) с лучем иона помогли низложению. Пленки ZnSe тонкие приложены для разнослоистых покрытий anti-reflection и голубого света испуская приспособления. Будут преимущества к этому методу над покрытием Ион-Luca, методы MBE, mocvd и PLD для изготовлять наслоенные полупроводники. Более дешево и безопасне чем покрытие Ион-Luca, MBE, mocvd и другие. Более дешево и безопасне нагреть цель местно путем использование лазера незатухающей волны так, что загрязнения и радиация жары будут уменьшены. Также более дешево и безопасне избежать выплеска PLD.