A thin film circuit substrate is manufactured by forming a lower thin film electrode on a substrate, forming an organic insulating film with via holes on the lower thin film electrode, and irradiating the substrate with an inert gas ion to remove an oxidized surface film on the lower thin film electrode, and to generate functional groups, such that a modified surface layer with a surface modification coefficient of about 0.1 to about 0.5 is formed on the surface of the organic insulating film, and such that the oxidized surface film on the lower thin film electrode is removed at the same time. Accordingly, a thin film circuit substrate having excellent adhesion strength between the organic insulating film and the upper thin film electrode as well as excellent reliability of electroconductivity between the upper and the lower thin film electrodes is efficiently manufactured.

Un substrat de circuit de la couche mince est fabriqué en formant une électrode inférieure de la couche mince sur un substrat, formant un film isolant organique avec par l'intermédiaire des trous sur l'électrode inférieure de la couche mince, et irradiant le substrat avec un ion de gaz inerte pour enlever un film extérieur oxydé sur l'électrode inférieure de la couche mince, et pour produire des groupes fonctionnels, de tels qu'une couche extérieure modifiée avec un coefficient extérieur de modification environ de 0.1 environ à 0.5 est formée sur la surface du film isolant organique, et de tels que le film extérieur oxydé sur l'électrode inférieure de la couche mince est enlevé en même temps. En conséquence, un substrat de circuit de la couche mince ayant l'excellente force d'adhérence entre le film isolant organique et l'électrode supérieure de la couche mince aussi bien que l'excellent sérieux de l'electroconductivity entre les électrodes supérieures et inférieures de la couche mince est efficacement fabriqué.