A unique Hall-Current ion source apparatus is used for direct ion beam
deposition of DLC coatings with hardness values greater than 10 GPa and at
deposition rates greater than 10 .ANG. per second. This ion source has a
unique fluid-cooled anode with a shadowed gap through which ion sources
feed gases are introduced while depositing gases are injected into the
plasma beam. The shadowed gap provides a well maintained, electrically
active area at the anode surface which stays relatively free of
non-conductive deposits. The anode discharge region is insulatively sealed
to prevent discharges from migrating into the interior of the ion source.
A method is described in which a substrate is disposed within a vacuum
chamber, coated with a coating of DLC or Si-DLC at a high deposition rate
using a Hall-Current ion source operating on carbon-containing or
carbon-containing and silicon-containing precursor gases, respectively.
The method is particularly advantageous for producing thin, hard, wear
resistant DLC and Si-DLC coatings for magnetic transducers and media used
for magnetic data storage applications.
Een uniek zaal-Huidig ionen bronapparaat wordt gebruikt voor direct ionenstraaldeposito van deklagen DLC met hardheidswaarden groter dan 10 GPa en aan depositotarieven groter dan 10. ANG per seconde. Deze ionenbron heeft een unieke vloeibaar-gekoelde anode met een in de schaduw gesteld hiaat waardoor de ionen bronvoergassen worden geïntroduceerd terwijl het deponeren de gassen in de plasmastraal worden ingespoten. Het in de schaduw gestelde hiaat verstrekt een goed gehandhaafd, elektrisch actief gebied aan de anodeoppervlakte die van niet geleidende stortingen vrij vrij blijft. Het gebied van de anodelossing wordt insulatively verzegeld om lossingen te migreren in het binnenland van de ionenbron te verhinderen. Een methode wordt beschreven waarin een substraat binnen een vacuümkamer wordt geschikt, die met een deklaag van DLC of Si-Dlc aan een hoog depositotarief gebruikend met een laag wordt bedekt een zaal-Huidige ionenbron die bij koolstof-bevat werkt of koolstof-bevat en silicium-bevat voorlopergassen, respectievelijk. De methode is bijzonder voordelig voor dun, harde, slijtage het produceren deklagen bestand DLC en Si-Dlc voor magnetische omvormers en media die voor de magnetische toepassingen van de gegevensopslag worden gebruikt.
