A microelectronic device having a self aligned metal diffusion barrier is disclosed. A microelectronic device having a substrate and a dielectric layer on the substrate. A trench having inside walls is formed through the dielectric layer. A lining of a barrier metal is on the inside walls of the trench and a fill metal is in the trench between the linings on the inside walls of the trench. The fill metal and the barrier metal have substantially different removal selectivities. A covering of the barrier metal is on the fill metal and the covering spans the linings on the inside walls of the trench and conforms to the top of the fill metal in the trench.

Μια μικροηλεκτρονική συσκευή που έχει ένα μόνο ευθυγραμμισμένο εμπόδιο διάχυσης μετάλλων αποκαλύπτεται. Μια μικροηλεκτρονική συσκευή που έχει ένα υπόστρωμα και ένα διηλεκτρικό στρώμα στο υπόστρωμα. Μια τάφρος που έχει τους εσωτερικούς τοίχους διαμορφώνεται μέσω του διηλεκτρικού στρώματος. Μια επένδυση ενός μετάλλου εμποδίων είναι στους εσωτερικούς τοίχους της τάφρου και ένα μέταλλο αφθονίας είναι στην τάφρο μεταξύ των επενδύσεων στους εσωτερικούς τοίχους της τάφρου. Το μέταλλο αφθονίας και το μέταλλο εμποδίων έχουν τις ουσιαστικά διαφορετικές επιλεκτικότητες αφαίρεσης. Μια κάλυψη του μετάλλου εμποδίων είναι στο μέταλλο αφθονίας και η κάλυψη εκτείνεται τις επενδύσεις στους εσωτερικούς τοίχους της τάφρου και προσαρμόζεται στην κορυφή του μετάλλου αφθονίας στην τάφρο.