It is an object of the present invention to provide a device having a crystalline oxide layer of complex compound which can form a crystalline thin film with high orientation. The lower electrode 13 comprises tantalum layer 11, titanate layer 12 and platinum layer 6, and PZT thin film 8 is formed on the lower electrode 13. Since titanate layer 12 is formed on the lower electrode 13, crystallinity of the PZT thin film can be improved. Therefore, the "lift-off" method can be used with to no thermal treatment needed when forming the platinum layer 6.

Es un objeto de la actual invención para proporcionar un dispositivo que tiene una capa cristalina del óxido del compuesto complejo que pueda formar una película fina cristalina con la alta orientación. El electrodo más bajo 13 abarca la capa 11 del tantalio, la capa 12 del titanate y la capa 6 del platino, y la película fina 8 de PZT se forma en el electrodo más bajo 13. Puesto que la capa 12 del titanate se forma en el electrodo más bajo 13, la cristalinidad de la película fina de PZT puede ser mejorada. Por lo tanto, el método del "despegue" se puede utilizar con a ningún tratamiento termal necesitado al formar la capa 6 del platino.