A method of removing a photoresist or a photoresist residue from a semiconductor substrate is disclosed. The semiconductor substrate with the photoresist or the photoresist residue on a surface of the semiconductor substrate is placed within a pressure chamber. The pressure chamber is then pressurized. Supercritical carbon dioxide and a stripper chemical are introduced to the pressure chamber. The supercritical carbon dioxide and the stripper chemical are maintained in contact with the photoresist or the photoresist residue until the photoresist or the photoresist residue is removed from the semiconductor substrate. The pressure chamber is then flushed and vented.

Un metodo di rimozione un photoresist o del residuo del photoresist da un substrato a semiconduttore è rilevato. Il substrato a semiconduttore con il photoresist o il residuo del photoresist su una superficie del substrato a semiconduttore è disposto all'interno di una camera di compressione. La camera di compressione allora è pressurizzata. L'anidride carbonica ipercritica e un prodotto chimico dell'estrattore sono introdotti alla camera di compressione. L'anidride carbonica ipercritica ed il prodotto chimico dell'estrattore sono effettuati in contatto con il photoresist o il residuo del photoresist fino al photoresist o il residuo del photoresist è rimosso dal substrato a semiconduttore. La camera di compressione allora è irrigata e scaricata.