A ferroelectric memory element and an electronic apparatus provided with this ferroelectric memory element are provided with a thin film recording layer of less than 50 nm film thickness having a high polarization moment and a high Curie temperature, wherein a recording layer of BaTiO.sub.3 is fabricated so as to be oriented in a pseudo-cubic system <111> direction in a trigonal crystal structure, and in order to increase the polarization moment and Curie temperature, the unit cell in BaTiO.sub.3 film is elongated more than 2% in the pseudo-cubic system <111> direction compared with the unit cell in a bulk material of BaTiO.sub.3, wherein in order to produce lattice strain in the crystal structure of the recording layer, the recording layer is grown epitaxially on the electrode layer that serves as the base layer, the ferroelectric memory element being provided with the recording layer, and the electronic apparatus being provided with the ferroelectric memory element.

Um elemento ferroelectric da memória e um instrumento eletrônico fornecidos com este elemento ferroelectric da memória são fornecidos com uma camada da gravação da película fina de espessura de película menos de de 50 nm que tem um momento elevado do polarization e uma alta temperatura do curie, wherein uma camada da gravação de BaTiO.sub.3 é fabricada para para ser orientado em um sentido pseudo-cubic do sistema em uma estrutura de cristal do trigonal, e a fim aumentar o momento do polarization e a temperatura de curie, a pilha da unidade na película BaTiO.sub.3 elongated mais de 2% no sentido pseudo-cubic do sistema comparado com a pilha da unidade em um material maioria de BaTiO.sub.3, wherein a fim produzir o lattice estique na estrutura de cristal da camada da gravação, a camada da gravação é crescida epitaxially na camada do elétrodo que serve como a camada baixa, o elemento ferroelectric da memória que estão sendo fornecidos com a camada da gravação, e o instrumento eletrônico que está sendo fornecido com o elemento ferroelectric da memória.