When tantalum pentoxide film that is deposited on silicon wafer is subjected to a heat treatment in an oxygen atmosphere to improve crystallinity, refractive index is measured by an ellipsometer to appraise change in the crystallinity or change in the relative dielectric constant of the dielectric film and judge the adequacy of the heat treatment temperature. In particular, when the dielectric film is a structure that includes tantalum pentoxide film in which crystallinity is changed by heat treatment and silicon oxide film in which film thickness is changed by heat treatment, the temperature of the heat treatment can be accurately appraised by taking advantage of the correlation between the temperatures of the heat treatment and the refractive indices of the laminated films, this correlation having a curve with a maximum point and a minimum point.

Όταν pentoxide τανταλίου η ταινία που κατατίθεται στην γκοφρέτα πυριτίου υποβάλλεται σε μια θερμική επεξεργασία σε μια ατμόσφαιρα οξυγόνου για να βελτιώσει τη διαύγεια, ο διαθλαστικός δείκτης μετριέται από ένα ellipsometer για να αξιολογήσει την αλλαγή στη διαύγεια ή την αλλαγή στη σχετική διηλεκτρική σταθερά της διηλεκτρικής ταινίας και να κρίνει την επάρκεια της θερμοκρασίας θερμικής επεξεργασίας. Ειδικότερα, όταν η διηλεκτρική ταινία είναι μια δομή που περιλαμβάνει pentoxide τανταλίου την ταινία στην οποία τη διαύγεια από η ταινία οξειδίων θερμικής αλλάζει επεξεργασίας και πυριτίου στην οποία το πάχος ταινιών από η θερμική επεξεργασία αλλάζει, η θερμοκρασία της θερμικής επεξεργασίας μπορεί να αξιολογηθεί ακριβώς με να εκμεταλλευθεί το συσχετισμό μεταξύ των θερμοκρασιών της θερμικής επεξεργασίας και των διαθλαστικών δεικτών των τοποθετημένων σε στρώματα ταινιών, αυτός ο συσχετισμός που έχει μια καμπύλη με ένα μέγιστο σημείο και ένα ελάχιστο σημείο.