A method of testing and/or repairing a memory device having two arrays of memory cells arranged in rows and columns. Sense amplifiers shared by the arrays are selectively coupled by isolation transistors to the digit lines of respective columns in each array. The sense amplifiers and isolation transistors are controlled to sequentially writing known data bits to a plurality of rows in each of the arrays. The rows in the first and second arrays remain activated for a testing interval of sufficient duration to allow charge to transfer through any inter-cell defects between the cells in the activated rows and cells that are not in an activated row. Cells in each non-activated row are then read. Inter-cell defects may also be repaired by activating the rows in the first and second arrays in a manner that couples adjacent memory cells to digit lines having different complimentary voltages.

Μια μέθοδος ή/και μια συσκευή μνήμης που έχει δύο σειρές κυττάρων μνήμης τακτοποίησε στις σειρές και τις στήλες. Οι ενισχυτές αίσθησης κοινοί στις σειρές συνδέονται επιλεκτικά από τις κρυσταλλολυχνίες απομόνωσης με τις γραμμές ψηφίων αντίστοιχων στηλών σε κάθε σειρά. Οι ενισχυτές αίσθησης και οι κρυσταλλολυχνίες απομόνωσης ελέγχονται διαδοχικά να γράψουν τα γνωστά κομμάτια στοιχείων σε μια πολλαπλότητα των σειρών σε κάθε μια από τις σειρές. Οι σειρές στις πρώτες και δεύτερες σειρές παραμένουν ενεργοποιημένες για ένα εξεταστικό διάστημα της ικανοποιητικής διάρκειας για να επιτρέψουν στη δαπάνη για να μεταφέρουν μέσω οποιωνδήποτε ατελειών διά-κυττάρων μεταξύ των κυττάρων στις ενεργοποιημένες σειρές και των κυττάρων που δεν είναι σε μια ενεργοποιημένη σειρά. Τα κύτταρα σε κάθε non-activated σειρά διαβάζονται έπειτα. Οι ατέλειες διά-κυττάρων μπορούν επίσης να επισκευαστούν με την ενεργοποίηση των σειρών στις πρώτες και δεύτερες σειρές με έναν τρόπο που συνδέει τα παρακείμενα κύτταρα μνήμης με τις γραμμές ψηφίων που έχουν τις διαφορετικές φιλοφρονητικές τάσεις.