A magnetic random access memory includes a ferromagnetic pinned layer having a spin polarization of 0.9 or more in a TMR sensor constituting a memory cell. Further, the construction for reducing a write current by applying an offset magnetic field to the memory cell, is also disclosed.

Ein magnetischer RAM schließt eine ferromagnetische festgesteckte Schicht ein, die eine Drehbeschleunigungpolarisation von 0.9 oder mehr in einem TMR Sensor hat, der eine Speicherzelle festsetzt. Weiter fangen der Aufbau für das Verringern eines schreibenstromes, indem er ein Offsetmagnetisches anwendet, zur Speicherzelle, wird freigegeben auch auf.