Evaluating electrical properties of a semiconductor device by measuring and analyzing a junction capacitance of a semiconductor provided in the semiconductor device and a transient change of the junction capacitance while applying an X-ray beam to the semiconductor device intermittently, and evaluating a structure and electron states of the semiconductor by measuring and analyzing an energy spectrum of an X-ray beam absorbed into an element present in the semiconductor while applying an X-ray beam to the semiconductor device continuously.

As propriedades elétricas de avaliação de um dispositivo de semicondutor medindo e analisando uma capacidade da junção de um semicondutor forneceram no dispositivo de semicondutor e em uma mudança transiente da capacidade da junção ao aplicar um feixe de raio X ao dispositivo de semicondutor intermitentemente, e ao avaliar uma estrutura e estados do elétron do semicondutor medindo e analisando um spectrum de energia de um feixe de raio X absorvido em um elemento atual no semicondutor ao aplicar um feixe de raio X ao dispositivo de semicondutor continuamente.