A semiconductor device includes a semiconductor substrate having a device element, an interlayer dielectric layer (silicon oxide layer, BPSG layer) formed on the semiconductor substrate, a through hole defined in the interlaver dielectric layer, a barrier layer formed on surfaces of the interlayer dielectric layer and the through hole, and a wiring layer formed on the barrier layer. The barrier layer includes a first metal oxide layer formed from an oxide of a metal that forms the barrier layer (e.g., a first titanium oxide layer), a metal nitride layer formed from a nitride of the metal that forms the barrier layer (e.g., a titanium nitride layer), and a second metal oxide layer formed from an oxide of the metal that forms the barrier layer (e.g., a second titanium oxide layer). The semiconductor device thus manufactured has a barrier layer of an excellent barrier capability.

Een halfgeleiderapparaat omvat een halfgeleidersubstraat dat een apparatenelement, een tussenlaag diëlektrische laag (de laag van het siliciumoxyde, laag BPSG) heeft dat op het halfgeleidersubstraat, a door bepaald gat wordt gevormd in de interlaver diëlektrische laag, een barrièrelaag dat op oppervlakten van de tussenlaag diëlektrische laag en het door gat, en een bedradingslaag wordt gevormd die op de barrièrelaag wordt gevormd. De barrièrelaag omvat een eerste laag van het metaaloxyde die van een oxyde van een metaal wordt gevormd dat de barrièrelaag (b.v., een eerste laag van het titaniumoxyde), een laag van het metaalnitride die van een nitride van het metaal wordt gevormd dat de barrièrelaag (b.v., een laag van het titaniumnitride) vormt, en een tweede laag van het metaaloxyde die van een oxyde van het metaal wordt gevormd vormt dat de barrièrelaag vormt (b.v., een tweede laag van het titaniumoxyde). Het zo vervaardigde halfgeleiderapparaat heeft een barrièrelaag van een uitstekend barrièrevermogen.