A method of reducing electromigration in copper interconnect lines by restricting Cu-diffusion pathways along a Cu surface via doping the Cu surface with Zn from an interim copper-zinc alloy (Cu--Zn) thin film electroplated on the copper (Cu) surface from a stable chemical solution, and controlling the Zn-doping thereof, which also improves interconnect reliability and corrosion resistance, and a semiconductor device thereby formed. The method involves using interim reduced-oxygen Cu--Zn alloy thin films for forming an encapsulated dual-inlaid interconnect structure. The films are formed by electroplating a Cu surface via by electroplating, the Cu surface in a unique chemical solution containing salts of Zn and Cu, their complexing agents, a pH adjuster, and surfactants; and annealing the interim electroplated Cu--Zn alloy thin films and a Cu-fill; and planarizing the interconnect structure.

Um método de reduzir o electromigration no interconnect de cobre alinha por pathways de restrição da Cu-difusão ao longo de uma superfície do cu através de doping a superfície do cu com zn de uma película fina da liga do cobre-zinco do ínterim (cu -- zn) electroplated na superfície de cobre (do cu) de uma solução química estável, e de controlar Zn-zn-doping disso, que melhora também a confiabilidade do interconnect e a resistência de corrosão, e um dispositivo de semicondutor dado forma desse modo. O método envolve usar o cu do reduz-oxigênio do ínterim -- películas finas da liga do zn para dar forma a uma estrutura duplo-embutida encapsulated do interconnect. As películas são dadas forma electroplating uma superfície do cu através de electroplating, a superfície do cu em uma solução química original que contem sais do zn e do cu, seus agentes complexing, um ajustador do pH, e surfactants; e o recozimento o ínterim electroplated o cu -- as películas finas da liga do zn e Cu-enchem-se; e planarizing a estrutura do interconnect.