A non-volatile memory array having a substrate, a first plurality of electrically conductive traces formed on the substrate, a second plurality of electrically conductive traces formed on the substrate and overlapping first plurality of traces at a plurality of intersection regions, and a plurality of memory cells. Each memory cell is located at an intersection region between one of the first plurality of traces and one of the second plurality of traces. At least one memory cell includes a non-linear magnetic tunnel junction storage element. The non-linear magnetic tunnel junction storage element has at least a first ferromagnetic layer, a barrier layer and a second ferromagnetic layer. The non-linear magnetic tunnel junction storage element has a non-linearity that is defined by a current having a first magnitude flowing through the non-linear magnetic tunnel junction storage element for a bias across the non-linear magnetic tunnel junction storage element of about 0.5 V.sub.A that is ten times or more smaller than a current having a second magnitude flowing through the non-linear magnetic tunnel junction storage element for a bias across the non-linear magnetic tunnel junction storage element of about 1 V.sub.A, where V.sub.A is an operating voltage for a memory cell. The non-linearity is used for minimizing sneak currents through unselected cells, and allowing read or write selection of a particular memory element in a large array.

Un arsenal de memoria permanente que tenía un substrato, una primera pluralidad de rastros eléctricamente conductores formó en el substrato, una segunda pluralidad de rastros eléctricamente conductores formados en la primera pluralidad del substrato y del traslapo de rastros en una pluralidad de regiones de la intersección, y una pluralidad de células de memoria. Cada célula de memoria está situada en una región de la intersección entre una de la primera pluralidad de rastros y una de la segunda pluralidad de rastros. Por lo menos una célula de memoria incluye un elemento magnético no linear del almacenaje de la ensambladura del túnel. El elemento magnético no linear del almacenaje de la ensambladura del túnel tiene por lo menos una primera capa ferromagnética, una capa de barrera y una segunda capa ferromagnética. El elemento magnético no linear del almacenaje de la ensambladura del túnel tiene un non-linearity que sea definido por una corriente que tiene una primera magnitud el atravesar del elemento magnético no linear del almacenaje de la ensambladura del túnel para un diagonal a través del elemento magnético no linear del almacenaje de la ensambladura del túnel de cerca de 0.5 V.sub.A que sea diez veces o más pequeños que una corriente que tiene una segunda magnitud el atravesar del elemento magnético no linear del almacenaje de la ensambladura del túnel para un diagonal a través del elemento magnético no linear del almacenaje de la ensambladura del túnel de cerca de 1 V.sub.A, donde está un voltaje V.sub.A de funcionamiento para una célula de memoria. El non-linearity se utiliza para reducir al mínimo corrientes del chivato a través de las células no seleccionadas, y permitir leídas o escribe la selección de un elemento particular de la memoria en un arsenal grande.