To fabricate masks for deep ultra-violet lithography and for extreme ultra-violet lithography, a layer of material opaque to deep ultra-violet radiation and an extreme ultra-violet radiation absorbent layer are each deposited successively with a layer of silicon and a layer of metal on a respective transparent substrate. A focused electron beam is displaced on the superposed layers of metal and silicon to form a structure of etch-resistant metal/silicon compound. The deep ultra-violet mask is then formed by etching the three layers to leave on the substrate, the metal/silicon compound structure with the extreme ultra-violet absorbent layer beneath it. The extreme ultra-violet mask is fabricated by forming the absorbent layer successively of an etch-stop sublayer, a repair buffer sublayer, and a sublayer of extreme ultra-violet radiation absorbent material, which, after etching, leaves on the substrate, the metal/silicon compound structure with the extreme ultra-violet radiation absorbent sub-layer and the repair buffer sublayer beneath it.

Per fabbricare le mascherine per la litografia ultravioletta profonda e per la litografia ultravioletta estrema, uno strato di opaco materiale a radiazione ultravioletta profonda e uno strato assorbente estremo ciascuno di radiazione ultravioletta sono depositati successivamente con uno strato di silicone e uno strato di metallo su un substrato trasparente rispettivo. Un fascio elettronico messo a fuoco è spostato sugli strati sovrapposti di metallo e di silicone per formare una struttura del residuo incid-resistente di metal/silicon. La mascherina ultravioletta profonda allora è costituita dall'incidere i tre strati all'acquaforte per andare sul substrato, la struttura compound di metal/silicon con lo strato assorbente ultravioletto estremo sotto esso. La mascherina ultravioletta estrema è fabbricata formando lo strato assorbente successivamente dell'incid-arresta il sublayer, un sublayer dell'amplificatore di riparazione e un sublayer del materiale assorbente estremo di radiazione ultravioletta, che, dopo avere inciso, va sul substrato, sulla struttura compound di metal/silicon con il sub-layer assorbente estremo di radiazione ultravioletta e sul sublayer dell'amplificatore di riparazione sotto esso.