The present invention relates to a compound that is useful as an additive for improving post exposure delay stability in a photoresist composition, and a photoresist composition containing the same. In particular, it has been found that a compound of the formula: ##STR1## where A, R.sub.1 to R.sub.3 are defined herein, can efficiently prevent or reduce the phenomenon of a lack of pattern formation and T-topping resulting from post exposure delay (PED) by reducing influences of environmental amine compounds. PED is a disadvantage of alicyclic compounds used in the lithography process using light sources such as KrF, ArF, VUV, E-beam, ion beam and EUV.

La actual invención se relaciona con un compuesto que sea útil como añadido para mejorar de post-exposición retrase estabilidad en una composición del photoresist, y una composición del photoresist que contiene igual. En detalle, se ha encontrado que un compuesto del fórmula: ## del ## STR1 donde A, R.sub.1 a R.sub.3 se define adjunto, puede prevenir eficientemente o reducir el fenómeno de una carencia de la formación y del T-t-topping del patrón que resultan de de post-exposición retrasa (PED) reduciendo influencias de los compuestos ambientales de la amina. PED es una desventaja de los compuestos alicyclic usados en las fuentes de luz que usan de proceso de la litografía tales como KrF, ArF, VUV, E-viga, viga de ion y EUV.