A nonvolatile semiconductor memory comprises a silicon substrate, a gate electrode formed through a gate insulator film on a principal surface of the semiconductor substrate, a pair of source/drain regions formed in a principal surface region of the semiconductor substrate to locate the gate electrode between the pair of source/drain regions. The gate insulator film is formed of a silicon oxide and/or silicon nitride film in contact with the principal surface of the semiconductor substrate, and a lead germanate film which is formed on the silicon oxide and/or silicon nitride film and which is a ferroelectric having a dielectric constant of not larger than 50.

Uma memória de semicondutor permanente compreende uma carcaça do silicone, um elétrodo de porta dado forma através de uma película do isolador da porta em uma superfície principal da carcaça do semicondutor, um par das regiões de source/drain dadas forma em uma região de superfície principal da carcaça do semicondutor para posicionar o elétrodo de porta entre o par de regiões de source/drain. A película do isolador da porta é dada forma de um óxido do silicone e/ou de uma película do nitride de silicone no contato com a superfície principal da carcaça do semicondutor, e uma película do germanate da ligação que sejam dadas forma no óxido do silicone e/ou na película do nitride de silicone e que seja uma ferroelectric tendo uma constante dieléctrica não maior de de 50.