A low-cost memory cell array includes multiple, vertically-stacked layers of memory cells. In one form, each memory cell is characterized by a small cross-sectional area and a read current less than 6.3 microamperes. The resulting memory array has a slow access time and is well-suited for digital media storage, where access time requirements are low and the dramatic cost reductions associated with the disclosed memory arrays are particularly attractive. In another form, each memory cell includes an antifuse layer and diode components, wherein at least one diode component is heavily doped (to a dopant concentration greater than 10.sup.19 /cm.sup.3), and wherein the read current is large (up to 500 mA).

Uma disposição de pilha low-cost da memória inclui camadas múltiplas, vertical-empilhadas de pilhas de memória. Em um formulário, cada pilha de memória é caracterizada por uma área de seção transversal pequena e por uma corrente lida mais menos de 6.3 microampères. A disposição resultante da memória tem uma estadia de acesso lenta e é well-suited para o armazenamento digital dos meios, onde as exigências do tempo de acesso são baixas e as reduções de custo dramáticas associadas com as disposições divulgadas da memória são particularmente atrativas. Em um outro formulário, cada pilha de memória inclui uma camada do antifuse e componentes do diodo, wherein ao menos um componente do diodo doped pesadamente (a uma concentração de dopant mais grande do que 10.sup.19 /cm.sup.3), e wherein a corrente lida é grande (até 500 miliampères).