A system and method for forming a plurality of structures in a low dielectric constant layer is disclosed. The low dielectric constant layer is disposed on a semiconductor. The method and system include exposing the low dielectric constant layer to an agent that improves adhesion of a photoresist, providing a layer of the photoresist on the low dielectric constant layer, patterning the photoresist, and etching the low dielectric constant layer to form the plurality of structures.

Um sistema e um método para dar forma a um plurality das estruturas em uma camada baixa da constante dieléctrica são divulgados. A camada baixa da constante dieléctrica é disposta em um semicondutor. O método e o sistema incluem expo a camada baixa da constante dieléctrica a um agente que melhore a adesão de um photoresist, fornecendo uma camada do photoresist na camada baixa da constante dieléctrica, modelando o photoresist, e gravando a camada baixa da constante dieléctrica para dar forma ao plurality das estruturas.