An insulating film 103 for making an under insulating layer 104 is formed on a quartz or semiconductor substrate 100. Recesses 105a to 105d corresponding to recesses 101a to 101d of the substrate 100 are formed on the surface of the insulating film 103. The surface of this insulating film 103 is flattened to form the under insulating layer 104. By this flattening process, the distance L1, L2, . . . , Ln between the recesses 106a, 106b, 106d of the under insulating layer 104 is made 0.3 .mu.m or more, and the depth of the respective recesses is made 10 nm or less. The root-mean-square surface roughness of the surface of the under insulating film 104 is made 0.3 nm or less. By this, in the recesses 106a, 106b, 106d, it can be avoided to block crystal growth of the semiconductor thin film, and crystal grain boundaries can be substantially disappeared.

Μια μονώνοντας ταινία 103 για την παραγωγή ενός κατώτερου στρώματος 104 μόνωσης διαμορφώνεται σε έναν χαλαζία ή το υπόστρωμα 100, κοιλότητες 105a ημιαγωγών 105d στην αντιστοιχία στις κοιλότητες 101a 101d του υποστρώματος 100 διαμορφώνεται στην επιφάνεια της μονώνοντας ταινίας 103. Η επιφάνεια αυτής της μονώνοντας ταινίας 103 ισιώνεται για να διαμορφώσει το κατώτερο στρώμα 104 μόνωσης. Με αυτήν την διαδικασία εξομάλυνσης, η απόσταση L1, L2. .. , Ln μεταξύ των κοιλοτήτων 106a, 106b, 106d του κατώτερου στρώματος 104 μόνωσης γίνεται 0,3 μu.μ ή περισσότερο, και το βάθος των αντίστοιχων κοιλοτήτων γίνεται 10 NM ή λιγότερο. Η τραχύτητα επιφάνειας μέσης τετραγωνικής τιμής της επιφάνειας της κατώτερης μονώνοντας ταινίας 104 γίνεται 0,3 NM ή λιγότερο. Από αυτό, στις κοιλότητες 106a, 106b, 106d, μπορεί να αποφευχθεί για να εμποδίσει την αύξηση κρυστάλλου της λεπτής ταινίας ημιαγωγών, και τα όρια σιταριού κρυστάλλου μπορούν να εξαφανιστούν ουσιαστικά.