Configurable electronic circuits comprise arrays of cross-points of one layer of metal/semiconductive nanoscale lines crossed by a second layer of metal/semiconductive nanoscale lines, with a configurable layer between the lines. Methods are provided for altering the thickness and/or resistance of the configurable layer by oxidation or reduction methods, employing a solid material as the configurable layer. Specifically a method is provided for configuring nanoscale devices in a crossbar array of configurable devices comprising arrays of cross-points of a first layer of nanoscale lines comprising a first metal or a first semiconductor material crossed by a second layer of nanoscale lines comprising a second metal or a second semiconductor material. The method comprises: (a) forming the first layer on a substrate; (b) forming a solid phase of a configurable material on the first layer at least in areas where the second layer is to cross the first layer; (c) forming the second layer on the configurable material, over the first layer; and (d) changing a property of the configurable material to thereby configure the nanoscale devices.

De configureerbare elektronische kringen bestaan uit series van kruisingen van één laag metaal/semiconductive nanoscalelijnen die door een tweede laag van metaal/semiconductive nanoscalelijnen, met een configureerbare laag tussen de lijnen wordt gekruist. De methodes worden verstrekt voor het veranderen van de dikte en/of weerstand van de configureerbare laag door oxydatie of verminderingsmethodes, de aanwendend een stevig materiaal als configureerbare laag. Specifiek wordt een methode verstrekt voor het vormen nanoscale apparaten in een dwarsbalkserie van configureerbare apparaten bestaand uit series van kruisingen van een eerste laag nanoscalelijnen bestaand uit een eerste metaal of uit een eerste halfgeleidermateriaal dat door een tweede laag nanoscalelijnen bestaand wordt gekruist uit een tweede metaal of uit een tweede halfgeleidermateriaal. De methode bestaat uit: (a) het vormen van de eerste laag op een substraat; (b) vormt een stevige fase van een configureerbaar materiaal op de eerste laag op zijn minst op gebieden waar de tweede laag de eerste laag moet kruisen; (c) vormt de tweede laag op het configureerbare materiaal, meer dan de eerste laag; en (d) veranderend een bezit van het configureerbare materiaal daardoor om de nanoscaleapparaten te vormen.