Disclosed are a remote pressure-monitoring device and a preparing method thereof. The device comprises a metal electrode on a glass substrate, a capacitive sensor made of a silicon diaphragm, and an electroplated inductor electrically connected, in parallel, with the sensor. The glass substrate and the silicon are electrically bonded to form an LC resonator. For the fabrication of the device, first, a metal electrode which plays a role as a lower electrode for a capacitive pressure sensor is deposited on the glass substrate with the same coefficient of thermal expansion as that of silicon. An inductor is formed at a thickness by copper electroplating, surrounding the metal electrode at a predetermined distance. A silicon substrate is anisotropically etched to form a space for enveloping the metal electrode at a central area and to form a groove around the space. Boron ions are diffused lightly into the space and deeply into the groove to form etch barriers thereat, followed by bonding the silicon substrate on the glass substrate through an electrical contact in such a way that the metal electrode and the inductor are enveloped in the space and the groove, respectively. Then, the silicon substrate is etched out from its rear side to the extent that the etch barriers are exposed.

Gegeben eine RemoteDruck-überwachenvorrichtung und eine vorbereitende Methode davon frei. Die Vorrichtung enthält eine Metalelektrode auf einem Glassubstrat, einem kapazitiven Sensor, der von einer Silikonmembrane gebildet werden, und einer galvanisierten elektrisch angeschlossenen Drosselspule, in der Ähnlichkeit, mit dem Sensor. Das Glassubstrat und das Silikon werden elektrisch abgebunden, um einen LC Resonator zu bilden. Für die Herstellung der Vorrichtung, erstes, eine Metalelektrode, die eine Rolle spielt, während eine unterere Elektrode für einen kapazitiven Druck-Sensor auf dem Glassubstrat mit dem gleichen Wärmeausdehnungkoeffizienten wie die des Silikons niedergelegt wird. Eine Drosselspule wird an einer Stärke durch das kupferne Galvanisieren gebildet und umgibt die Metalelektrode in einem vorbestimmten Abstand. Ein Silikonsubstrat wird anisotropically, um einen Raum für das Einschlagen der Metalelektrode an einem zentralen Bereich zu bilden geätzt und eine Nut um den Raum zu bilden. Borionen werden leicht in den Raum und in die Nut, um zerstreut das Ätzungsperren thereat tief zu bilden, gefolgt, von das Silikonsubstrat auf dem Glassubstrat beziehungsweise abbinden durch einen elektrischen Kontakt, so daß die Metalelektrode und die Drosselspule im Raum und in der Nut eingeschlagen werden. Dann wird das Silikonsubstrat heraus von seiner Rückseite geätzt, soweit daß die Ätzungsperren herausgestellt werden.