A structure and method for forming a high dielectric constant device structure includes a monocrystalline semiconductor substrate and an insulating layer formed of an epitaxially grown oxide such as (A).sub.y (Ti.sub.x M.sub.1-x).sub.1-y O.sub.3, wherein A is an alkaline earth metal or a combination of alkaline earth metals and M is a metallic or semi-metallic element. Semiconductor devices formed in accordance with the present invention exhibit low leakage current density.

Uma estrutura e um método para dar forma a uma estrutura elevada do dispositivo da constante dieléctrica incluem uma carcaça monocrystalline do semicondutor e uma camada isolando dadas forma de um óxido epitaxially crescido como (A).sub.y (Ti.sub.x M.sub.1-x).sub.1-y O.sub.3, wherein A é um metal alcalino-térreo ou uma combinação de metais da terra alcalina e de M é um elemento metálico ou semi-metallic. Os dispositivos de semicondutor deram forma de acordo com a densidade atual do escapamento baixo atual da exibição da invenção.