Microlithography apparatus and methods are disclosed for achieving high-resolution pattern transfer of a pattern onto a substrate, such as a semiconductor wafer, using extreme ultraviolet (EUV, also termed soft X-ray) radiation. The apparatus include an imaging-optical system (projection-optical system) capable of receiving pattern-encoding EUV light from a mask and forming an image of the pattern on the substrate. The desired wavelength of the EUV light is 20 nm to 50 nm, and the imaging-optical system includes multiple reflective mirrors having aspherical surficial profiles and multilayer-film reflective surfaces. The apparatus are configured especially to achieve a pattern-element resolution, of the projected image, of 70 nm or finer.

De apparaten en de methodes van Microlithography worden onthuld voor het bereiken van high-resolution patroonoverdracht van een patroon op een substraat, zoals een halfgeleiderwafeltje, gebruikend extreme ultraviolette (EUV, ook genoemd zachte Röntgenstraal) straling. De apparaten omvatten een weergave-optisch systeem (projectie-optisch systeem) geschikt om patroon-coderend licht EUV van een masker te ontvangen en het vormen van een beeld van het patroon op het substraat. De gewenste golflengte van het licht EUV is 20 NM aan 50 NM, en het weergave-optische systeem omvat veelvoudige weerspiegelende spiegels die asferische profielen van het aardoppervlak en multilayer-film weerspiegelende oppervlakten hebben. De apparaten worden gevormd vooral om een patroon-element resolutie, van het ontworpen beeld, van 70 NM te bereiken of fijner.