A chemical vapor deposition (CVD) apparatus is provided. The CVD apparatus comprises a deposition chamber and a main chamber. The deposition chamber comprises at least one single injector and one or more exhaust channels. The main chamber supports the deposition chamber and includes at least one gas inlet to inject at least one gas into the main chamber. The gases are removed through the exhaust channels, thereby creating an inwardly flowing purge which acts to isolate the deposition chamber. At least one semi-seal is formed between the deposition chamber and the substrate which acts to confine reactive chemicals within each deposition region.

Прибор низложения химически пара (cvd) обеспечен. Прибор cvd состоит из камеры низложения и главным образом камеры. Камера низложения состоит из по крайней мере одного одиночного инжектора и one or more каналы вытыхания. Главным образом камера поддерживает камеру низложения и вклюает по крайней мере один вход газа для того чтобы впрыснуть по крайней мере один газ в главным образом камеру. Газы извлечутся через каналы вытыхания, таким образом создавая внутренно пропуская продувку которая действуют, что изолирует камеру низложения. По крайней мере одно семи-uplotnenie сформировано между камерой низложения и субстратом действуют, что ограничивает реактивные химикаты в пределах каждой зоны низложения.