Embodiments relate to a non-volatile semiconductor memory device in which the interface state between the tunnel insulation layer and the floating gate and the interface state between the tunnel insulation layer and the control gate are lower, the operation characteristics are stable, and the data writing/erasing cycle life is long. A non-volatile semiconductor memory device (memory transistor) 400 may include a non-volatile semiconductor memory device with a split-gate structure having a source 16, a drain 14, a gate insulation layer 26, a floating gate 40, an intermediate insulation layer 50 that functions as a tunnel insulation layer, and a control gate 36. The intermediate insulation layer 50 is composed of at least three insulation layers 50a, 50b and 50c. The first and the second outermost layers 50a and 50c of the three insulation layers respectively contact the floating gate 40 and the control gate 36, and are composed of silicon oxide layers that are formed by a thermal oxidation method. A selective oxide insulation layer 42 is formed by a selective oxidation method on the floating gate 40. A silicon oxide layer 50b is formed by a CVD method between the first and the second outermost layers 50a and 50c.

De belichamingen hebben op een niet-vluchtig apparaat van het halfgeleidergeheugen waarbetrekking in de interfacestaat tussen de laag van de tunnelisolatie en de drijvende poort en de interfacestaat tussen de laag van de tunnelisolatie en de controlepoort lager is, zijn de verrichtingskenmerken stabiel, en is het de gegevens schrijvende/wissende cyclusleven lang. Een niet-vluchtig apparaat van het halfgeleidergeheugen (geheugentransistor) 400 kan een niet-vluchtig apparaat van het halfgeleidergeheugen met spleet-poort een structuur omvatten die een bron 16, een afvoerkanaal 14, een laag 26, een drijvende poort 40, een middenisolatielaag 50 heeft van de poortisolatie die als laag van de tunnelisolatie, en controlepoort 36 functioneert. Middenisolatielaag 50 is samengesteld uit minstens drie isolatielagen 50a, 50b en 50c. De eerste en tweede buitenste lagen 50a en 50c drie isolatielagen contacteren respectievelijk drijvende poort 40 en controlepoort 36, en zijn samengesteld uit de lagen van het siliciumoxyde die door een thermische oxydatiemethode worden gevormd. Een selectieve laag 42 wordt van de oxydeisolatie gevormd door een selectieve oxydatiemethode op drijvende poort 40. Een laag van het siliciumoxyde 50b wordt gevormd door een methode van CVD tussen de eerste en de tweede buitenste lagen 50a en 50c.