A group III-nitride quaternary material system and method is disclosed for use in semiconductor structures, including laser diodes, transistors, and photodetectors, which reduces or eliminates phase separation and provides increased emission efficiency. In an exemplary embodiment the semiconductor structure includes a first InGaAlN layer of a first conduction type formed substantially without phase separation, an InGaAlN active layer substantially without phase separation, and a third InGaAlN layer of an opposite conduction type formed substantially without phase separation.

Система и метод CIii-$$ET-nitrida группы кватернарные материальные показаны для пользы в структурах полупроводника, включая диоды лазера, транзисторах, и фотодетекторах, которая уменьшает или исключает разъединение участка и обеспечивает увеличенную эффективность излучения. В примерное воплощение структура полупроводника вклюает первый слой InGaAlN первого типа кондукции сформированного существенн без разъединения участка, слой InGaAlN активно существенн без разъединения участка, и третий слой InGaAlN противоположного типа кондукции сформированного существенн без разъединения участка.