One aspect of the present invention relates to a method of forming an advanced low k material between metal lines on a semiconductor substrate, involving the steps of providing the semiconductor substrate having a plurality of metal lines thereon; depositing a spin-on material over the semiconductor substrate having the plurality of metal lines thereon; and at least one of heating or etching the semiconductor substrate whereby at least a portion of the spin-on material is removed, thereby forming the advanced low k material comprising at least one air void between the metal lines, the advanced low k material having a dielectric constant of about 2 or less. Another aspect of the present invention relates to a method of forming a semiconductor structure, involving the steps of forming a first plurality of metal lines on the semiconductor structure; depositing a spin-on material over the semiconductor substrate having the plurality of metal lines thereon; forming a plurality of openings in the spin-on material exposing a portion of the metal lines and depositing metal to form a plurality of metal vias in the openings; forming a second plurality of metal lines over at least a portion of the metal vias; and at least one of heating or etching the semiconductor structure whereby at least a portion of the spin-on material is removed, thereby forming an advanced low k material comprising at least one air void, the advanced low k material having a dielectric constant of about 2 or less.

Μια πτυχή της παρούσας εφεύρεσης αφορά μια μέθοδο ένα προηγμένο χαμηλό υλικό Κ μεταξύ των γραμμών μετάλλων σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, που περιλαμβάνουν τα βήματα να παράσχει το υπόστρωμα ημιαγωγών που έχει μια πολλαπλότητα των γραμμών μετάλλων επ'αυτού καταθέτοντας περιστροφή-επάνω έναν υλικό πέρα από το υπόστρωμα ημιαγωγών που έχει την πολλαπλότητα των γραμμών μετάλλων επ'αυτού και τουλάχιστον μια από τη θέρμανση ή τη χάραξη του υποστρώματος ημιαγωγών με το οποίο τουλάχιστον μια μερίδα περιστροφή-επάνω του υλικού αφαιρείται, με αυτόν τον τρόπο διαμορφώνοντας το προηγμένο χαμηλό υλικό Κ περιλαμβάνοντας τουλάχιστον ένα κενό αέρα μεταξύ των γραμμών μετάλλων, το προηγμένο χαμηλό υλικό Κ που έχει μια διηλεκτρική σταθερά περίπου 2 ή λιγότερους. Μια άλλη πτυχή της παρούσας εφεύρεσης αφορά μια μέθοδο μια δομή ημιαγωγών, που περιλαμβάνει τα βήματα της διαμόρφωσης μιας πρώτης πολλαπλότητας των γραμμών μετάλλων στη δομή ημιαγωγών καταθέτοντας περιστροφή-επάνω έναν υλικό πέρα από το υπόστρωμα ημιαγωγών που έχει την πολλαπλότητα των γραμμών μετάλλων επ'αυτού διαμορφώνοντας μια πολλαπλότητα των ενάρξεων στο περιστροφή-επάνω υλικό που εκθέτει μια μερίδα των γραμμών μετάλλων και που εναποθέτει το μέταλλο για να διαμορφώσει μια πολλαπλότητα των vias μετάλλων στις ενάρξεις διαμόρφωση μιας δεύτερης πολλαπλότητας των γραμμών μετάλλων πέρα από τουλάχιστον μια μερίδα των vias μετάλλων και τουλάχιστον μια από τη θέρμανση ή τη χάραξη της δομής ημιαγωγών με το οποίο τουλάχιστον μια μερίδα περιστροφή-επάνω του υλικού αφαιρείται, με αυτόν τον τρόπο διαμορφώνοντας ένα προηγμένο χαμηλό υλικό Κ περιλαμβάνοντας τουλάχιστον έναν αέρα κενό, το προηγμένο χαμηλό υλικό Κ που έχει μια διηλεκτρική σταθερά περίπου 2 ή λιγότερους.