A silicon-based polycrystal powder, which contains no more than 30 at % Ge, C, Sn, or another such element that does not generate carriers as well as an added element that does generate carriers, and which has a crystal structure including crystal grains made up of at least 80 at % silicon, and a grain boundary phase where at least one type of said added element is precipitated at the boundary of said crystal grains, is mixed with a clathrate compound powder with low thermal conductivity and electrical resistivity, and this mixture is subjected to hot compression molding, the product of which has a composite structure in which the particles of the clathrate compound polycrystals are disposed around the particles of the silicon-based polycrystals.

Μια πυρίτιο-βασισμένη στο polycrystal σκόνη, που περιλαμβάνουν λιγότερος από 30 at% Γερμανία, το γ, sn, ή ένα άλλο τέτοιο στοιχείο που δεν παράγει τους μεταφορείς καθώς επίσης και ένα προστιθέμενο στοιχείο που παράγει τους μεταφορείς, και που μια δομή κρυστάλλου συμπεριλαμβανομένων των σιταριών κρυστάλλου επάνω από τουλάχιστον πυρίτιο 80 at%, και μια φάση ορίου σιταριού όπου τουλάχιστον ένας τύπος εν λόγω προστιθέμενου στοιχείου κατακρημνίζεται στο όριο των εν λόγω σιταριών κρυστάλλου, αναμιγνύονται με μια clathrate σύνθετη σκόνη με τη χαμηλή θερμική αγωγιμότητα και την ηλεκτρική ειδική αντίσταση, και αυτό το μίγμα υποβάλλεται στην καυτή σχηματοποίηση συμπίεσης, το προϊόν της οποίας έχει μια σύνθετη δομή στην οποία τα μόρια της clathrate ένωσης πυρίτιο-βασισμένα στο polycrystals.