A parallel capacitor structure capable of forming an internal part of a
larger circuit board or the like structure to provide capacitance
therefore. Alternatively, the capacitor may be used as an interconnector
to interconnect two different electronic components (e.g., chip carriers,
circuit boards, and even semiconductor chips) while still providing
desired levels of capacitance for one or more of said components. The
capacitor includes at least one internal conductive layer, two additional
conductor layers added on opposite sides of the internal conductor, and
inorganic dielectric material (preferably an oxide layer on the second
conductor layer's outer surfaces or a suitable dielectric material such as
barium titanate applied to the second conductor layers). Further, the
capacitor includes outer conductor layers atop the inorganic dielectric
material, thus forming a parallel capacitor between the internal and added
conductive layers and the outer conductors.
Параллельная структура конденсатора способная формировать внутренне часть более большой монтажной платы или близкая структура для того чтобы обеспечить емкость поэтому. Друг, конденсатор может быть использован как interconnector для того чтобы соединить 2 по-разному электронных компонента (например, несущие обломока, монтажные платы, и даже обломоки полупроводника) пока все еще обеспечивающ заданные уровни емкости для one or more из сказанных компонентов. Конденсатор вклюает по крайней мере один внутренне проводной слой, 2 дополнительных слоя проводника добавленный на противоположных сторонах внутренне проводника, и неорганического диэлектрического материал (предпочтительн слой окиси на поверхностях или целесообразном диэлектрическом материале второго слоя проводника наружных such as титанат бария применился к вторым слоям проводника). Более потом, конденсатор вклюает наружные слои проводника на неорганическом диэлектрическом материале, таким образом формирующ параллельный конденсатор между внутренне и добавленными проводными слоями и наружными проводниками.