A light-generating device such as a laser or LED. A light-generating device according to the present invention includes a first n-electrode layer in contact with a first n-contact layer, the first n-contact layer including an n-doped semiconductor. Light is generated by the recombination of holes and electrons in an n-p active layer. The n-p active layer includes a first p-doped layer in contact with a first n-doped layer, the first n-doped layer being connected electrically with the first n-contact layer. A p-n reverse-biased tunnel diode constructed from a second p-doped layer in contact with a second n-doped layer is connected electrically such that the second p-doped layer is connected electrically with the first p-layer. A second n-contact layer constructed from an n-doped semiconductor material is connected electrically to the second n-doped layer. A second n-electrode layer is placed in contact with the second n-contact layer. The various layers of the invention can be constructed from GaN semiconductors. The p-n reverse-biased tunnel diode includes an n-depletion region in the second n-doped layer and a p-depletion region in the second p-doped layer, the n-depletion region and the p-depletion region in contact with one another. The conductivity of the reverse-bias tunnel diode may be increased by doping the n-depletion region and p-depletion region. The conductivity of the reverse-bias tunnel diode can also be increased by including a compressively strained InGaN layer in the n-depletion region.

Um dispositivo luz-gerando tal como um laser ou um diodo emissor de luz. Um dispositivo luz-gerando de acordo com a invenção atual inclui uma primeira camada do n-elétrodo no contato com um primeiro n-contata a camada, a primeira n-contata a camada including um semicondutor n-n-doped. A luz é gerada pelo recombination dos furos e dos elétrons em uma camada ativa do n-p. A camada ativa do n-p inclui uma primeira camada p-p-doped no contato com uma primeira camada n-n-doped, a primeira camada n-n-doped que está sendo conectada eletricamente com a primeira n-contata a camada. Um diodo reverse-biased do túnel do p-n construído de uma segunda camada p-p-doped no contato com uma segunda camada n-n-doped é conectado eletricamente tais que a segunda camada p-p-doped está conectada eletricamente com o primeiro jogador. Um segundo n-contata a camada construída de um material n-n-doped do semicondutor é conectado eletricamente à segunda camada n-n-doped. Uma segunda camada do n-elétrodo é colocada no contato com o segundo n-contata a camada. As várias camadas da invenção podem ser construídas dos semicondutores de GaN. O diodo reverse-biased do túnel do p-n inclui uma região do n-n-depletion na segunda camada n-n-doped e uma região do p-p-depletion na segunda camada p-p-doped, a região do n-n-depletion e a região no contato com um outra do p-p-depletion. O conductivity do diodo do túnel da reverso-polarização pode ser aumentado doping a região do n-n-depletion e a região do p-p-depletion. O conductivity do diodo do túnel da reverso-polarização pode também ser aumentado incluindo uma camada compressively esticada de InGaN na região do n-n-depletion.