There is disclosed a method of fabricating a thin-film transistor having excellent characteristics. Nickel element is held in contact with selected regions of an amorphous silicon film. Then, thermal processing is performed to crystallize the amorphous film. Subsequently, thermal processing is carried out in an oxidizing ambient containing a halogen element to form a thermal oxide film. At this time, the crystallinity is improved. Also, gettering of the nickel element proceeds. This crystalline silicon film consists of crystals grown radially from a number of points. Consequently, the thin-film transistor having excellent characteristics can be obtained.

Wird einer Methode des Fabrizierens eines Dünnfilmtransistors freigegeben, der ausgezeichnete Eigenschaften hat. Nickelelement wird in Verbindung mit vorgewählten Regionen eines formlosen Silikonfilmes gehalten. Dann wird die thermische Verarbeitung durchgeführt, um den formlosen Film zu kristallisieren. Nachher wird die thermische Verarbeitung in einem Oxidieren umgebend durchgeführt, ein Halogenelement enthalten, um einen thermischen Oxidfilm zu bilden. Diesmal wird die Kristallinität verbessert. Auch das Gettering des Nickelelements fährt fort. Dieser kristallene Silikonfilm besteht aus den Kristallen, die radial von einer Anzahl von Punkten gewachsen werden. Infolgedessen kann der Dünnfilmtransistor, der ausgezeichnete Eigenschaften hat, erhalten werden.