A gas-impermeable plastic vessel and a process for forming a film having uniform thickness and high gas-interception to a plastic vessel is disclosed. The plastic vessel, having a Tg higher than the coating temperature, excellent in gas-interception, is coated with a silicon oxide film having a refractive index of 1.4 to 1.5, a thickness of 300 .ANG. to 2000 .ANG. and composition of SiO.sub.x (X=1.5 to 2.0). A high-frequency electrode is placed on the non-coated surface side a constant distance of not more than 10 mm from the electrode surface to the vessel surface. A ground electrode connection is placed in the coated surface side and the ground connection electrode is maintained a constant distance from the electrode surface to the vessel surface, which distance is greater than the distance from the high-frequency electrode surface to the vessel surface on which the coating is formed. A silicon oxide film having a uniform thickness is coated onto the surface which faces to the ground connection electrode by introducing plasma of the silicon oxide produced by CVD process in between the vessel and the ground connection electrode with a discharge having a pressure of 0.0005 to 0.05 torr.

Uma embarcação plástica gas-impermeable e um processo para dar forma a uma película que têm a espessura uniforme e ao gás-gas-interception elevado a uma embarcação plástica são divulgados. A embarcação plástica, tendo um Tg mais altamente do que a temperatura revestindo, excelente no gás-gas-interception, é revestida com uma película do óxido do silicone que tem um índice refractive de 1.4 a 1.5, uma espessura do ANG 300. ao ANG. 2000 e à composição de SiO.sub.x (X=1.5 a 2.0). Um elétrodo de alta freqüência é colocado no lado de superfície non-revestido uma distância constante de não mais de 10 milímetros da superfície do elétrodo à superfície da embarcação. Uma conexão à terra do elétrodo é colocada no lado de superfície revestido e o elétrodo da conexão à terra é mantido a uma distância constante da superfície do elétrodo à superfície da embarcação, que a distância é mais grande do que a distância da superfície de alta freqüência do elétrodo à superfície da embarcação em que o revestimento é dado forma. Uma película do óxido do silicone que tem uma espessura uniforme é revestida na superfície que enfrenta ao elétrodo da conexão à terra introduzindo o plasma do óxido do silicone produzido pelo processo de CVD dentro entre a embarcação e o elétrodo da conexão à terra com uma descarga que tem uma pressão de 0.0005 a 0.05 torr.