A method of forming a diffusion region in a silicon substrate having low-resistance, acceptable defect density, reliability and process control comprising the steps of: (a) subjecting a silicon substrate to a first ion implantation step, said first ion implantation step being conducted under conditions such that a region of amorphized Si is formed in said silicon substrate; (b) subjecting said silicon substrate containing said region of amorphized Si to a second ion implantation step, said second ion implantation step being carried out by implanting a dopant ion into said silicon substrate under conditions such that the peak of implant of said dopant ion is within the region of amorphized Si; and (c) annealing said silicon substrate under conditions such that said region of amorphized Si is re-crystallized thereby forming a diffusion region in said silicon substrate is provided.

Eine Methode der Formung einer Diffusion (Zerstäubung) Region in einem Silikonsubstrat, das den Niedrigwiderstand, annehmbare Defektdichte, Zuverlässigkeit und Prozeßsteuerung enthalten die Schritte von hat: (a), ein Silikonsubstrat einem ersten Ionenimplantation Schritt unterwerfend, der besagte erste Ionenimplantation Schritt, der unter Bedingungen so geleitet wird, daß eine Region von Silikon amorphized, wird in besagtem Silikonsubstrat gebildet; (b) amorphized das unterwerfende besagte Silikonsubstrat, das besagte Region von enthält, Silikon zu einem zweiten Ionenimplantation Schritt, den besagten zweiten Ionenimplantation Schritt, der indem es ein Dopantion in besagtes Silikonsubstrat unter Bedingungen so durchgeführt wurde, einpflanzte, daß die Spitze des Implantats des besagten Dopantions innerhalb der Region von amorphized Silikon ist; und (c) tempernd sagte, daß Silikonsubstrat unter Bedingungen, die so, daß besagte Region von Silikon amorphized umkristallisiert wird, dadurch bildet man eine Diffusion (Zerstäubung) Region in besagtem Silikonsubstrat, zur Verfügung gestellt wird.