The present invention is a method and apparatus for applying one-dimensional proximity correction to a piece of a mask pattern, by segmenting a first piece of a mask pattern with horizontal dividing lines into a plurality of segments, segmenting a second piece of said mask pattern with said horizontal dividing lines into a second plurality of segments, and applying proximity correction to a first segment from said first plurality of segments taking into consideration a second segment from said second plurality of segments.

Присытствыющим вымыслом будет методом и прибором для прикладывать одноразмерную коррекцию близости к части картины маски, путем делить на сегменты первую часть картины маски с горизонтальные линияа раздела в множественность этапов, вторую часть сказанной картины маски с сказанные горизонтальные линияа раздела в вторую множественность этапов, и прикладывать коррекцию близости к первому этапу от сказанной первой множественности этапов принимая в рассмотрение второй этап от сказанной второй множественности этапов.