A multi-bit-per-cell memory reduces the effect of defects and data errors by scrambling data bits before writing data. The scrambling prevents storage of consecutive bits in the same memory cell. When a memory cell is defective or produces an error, the bits read from the memory cell do not create consecutive bit errors that would be noticeable or uncorrectable. An error or a defect in a multi-bit memory cell causes at most scattered bit errors. Scramblers in multi-bit-per-cell memories can include 1) hardwired lines crossing between an input port and an output port, 2) programmable wiring options, 3) a linear buffer where reads from the buffer use addresses with swapped bits, or 4) a buffer array that switches between incrementing a row address first and incrementing a column address first when accessing memory cells in the buffer array.

Μια μνήμη πολυ-κομμάτι-ανά-κυττάρων μειώνει την επίδραση των ατελειών και των λαθών στοιχείων με το ανακάτωμα των κομματιών στοιχείων πρίν γράφει τα στοιχεία. Το ανακάτωμα αποτρέπει την αποθήκευση των διαδοχικών κομματιών στο ίδιο κύτταρο μνήμης. Όταν ένα κύτταρο μνήμης είναι ελαττωματικό ή παράγει ένα λάθος, τα κομμάτια που διαβάζονται από το κύτταρο μνήμης δεν δημιουργούν τα διαδοχικά λάθη κομματιών που θα ήταν αξιοπρόσεχτα ή uncorrectable. Ένα λάθος ή μια ατέλεια στις αιτίες πολυ-κομματιών μνήμης κυττάρων στα περισσότερα διεσπαρμένα λάθη κομματιών. Οι αναλογικές συσκευές κρυπτοφώνησης στις μνήμες πολυ-κομμάτι-ανά-κυττάρων μπορούν να περιλάβουν 1) οι γραμμές που διασχίζουν μεταξύ ενός λιμένα εισαγωγής και ενός λιμένα παραγωγής, 2) προγραμματίσημες επιλογές καλωδίωσης, 3) ένας γραμμικός απομονωτής όπου διαβάζει από τις διευθύνσεις χρήσης απομονωτών με τα ανταλλαγμένα κομμάτια, ή 4) μια σειρά απομονωτών που την οι διακόπτες μεταξύ της αύξησης μιας σειράς εξετάζουν πρώτα και αυξάνοντας μια διεύθυνση στηλών πρώτα κατά πρόσβαση των κυττάρων μνήμης στη σειρά απομονωτών.