An electro-optical device having high operation performance and reliability, and a manufacturing method thereof. A TFT structure which is strong agains hot carrier injection is realized by disposing a Lov region 207 in an n-channel TFT 203 which forms a driver circuit. Further, Loff regions 217 to 220 and offset region are disposed in an n-channel TFT 304 which forms a pixel section, and a TFT structure of low OFF current value is realized. Further, by reducing the n-type impurity element contained in Loff regions 217 to 220 to approximately 1.times.10.sup.16 to 5.times.10.sup.18 atoms/cm.sup.3, further reduction of OFF current can be performed.

Een elektro-optisch apparaat hoge verrichtingsprestaties en betrouwbaarheid hebben, en een productiemethode die daarvan. Een structuur TFT die de sterke injectie is van de agains hete drager wordt gerealiseerd door een Lov gebied 207 in n-channel TFT 203 te schikken die een bestuurderskring vormt. Verder, Loff worden de gebieden 217 tot 220 en het gecompenseerde gebied geschikt in n-channel TFT 304 die een pixelsectie vormt, en een structuur TFT van laag VAN huidige waarde wordt gerealiseerd. Verder, door het n-type onzuiverheidselement te verminderen in Loff gebieden 217 tot 220 aan ongeveer 1.times.10.sup.16 aan atomen 5.times.10.sup.18/cm.sup.3, kan de verdere vermindering van VAN stroom worden uitgevoerd.