The present invention relates to a micro electro mechanical system (MEMS);
and, more particularly, to a micro pump used in micro fluid transportation
and control and a method for fabricating the same. The micro pump
according to the present invention comprises: trenches formed in a silicon
substrate in order to form a pumping region including a main pumping
region and an auxiliary pumping region; channels formed on both sides of
the pumping region; a flow prevention region having backward-flow
preventing layers to resist a fluid flow; inlet/outlet regions formed at
each of the channels which are disposed on both ends of the pumping
region; an outer layer covering the trenches of the silicon substrate and
opening portions of the inlet/outlet regions; and a thermal conducting
layer formed on the outer layer and over the main pumping region so that a
pressure of the fluid in the main pumping region is increased by the
thermal conducting layer.
Η παρούσα εφεύρεση αφορά ένα ηλεκτρο μηχανικό σύστημα μικροϋπολογιστών (MEMS) και, ειδικότερα, σε μια αντλία μικροϋπολογιστών που χρησιμοποιείται στη ρευστό μεταφορά και τον έλεγχο μικροϋπολογιστών και μια μέθοδο για το ίδιο πράγμα. Η αντλία μικροϋπολογιστών σύμφωνα με την παρούσα εφεύρεση περιλαμβάνει: τάφροι που διαμορφώνονται σε ένα υπόστρωμα πυριτίου προκειμένου να διαμορφωθεί μια αντλώντας περιοχή συμπεριλαμβανομένης μιας κύριας αντλώντας περιοχής και μιας βοηθητικής αντλώντας περιοχής κανάλια που διαμορφώνονται και στις δύο πλευρές της αντλώντας περιοχής μια περιοχή πρόληψης ροής που έχει την προς τα πίσω-ροή που αποτρέπει τα στρώματα για να αντισταθεί σε μια ρευστή ροή περιοχές κολπίσκων/εξόδου που διαμορφώνονται σε κάθε ένα από τα κανάλια που διατίθενται και στις δύο άκρες της αντλώντας περιοχής ένα εξωτερικό στρώμα που καλύπτει τις τάφρους του υποστρώματος πυριτίου και που ανοίγει τις μερίδες των περιοχών κολπίσκων/εξόδου και ένα θερμικό στρώμα διεύθυνσης που διαμορφώνεται στο εξωτερικό στρώμα και πέρα από την κύρια αντλώντας περιοχή έτσι ώστε μια πίεση του ρευστού που αντλεί κυρίως την περιοχή αυξάνεται από το θερμικό στρώμα διεύθυνσης.
