An object of the present invention is obtaining a semiconductor film with uniform characteristics by improving irradiation variations of the semiconductor film. The irradiation variations are generated due to scanning while irradiating with a linear laser beam of the pulse emission. At a laser crystallization step of irradiating a semiconductor film with a laser light, a continuous light emission excimer laser emission device is used as a laser light source. For example, in a method of fabricating an active matrix type liquid crystal display device, a continuous light emission excimer laser beam is irradiated to a semiconductor film, which is processed to be a linear shape, while scanning in a vertical direction to the linear direction. Therefore, more uniform crystallization can be performed because irradiation marks can be avoided by a conventional pulse laser.

Ein Gegenstand der anwesenden Erfindung erhält einen Halbleiterfilm mit konstanten Eigenschaften, indem er Bestrahlungveränderungen des Halbleiterfilmes verbessert. Die Bestrahlungveränderungen liegen an der Abtastung beim Bestrahlen mit einem linearen Laserstrahl der Impulsemission erzeugtes. An einem Laser Kristallisation Schritt des Bestrahlens eines Halbleiterfilmes mit einem Laserlicht, wird eine ununterbrochene helle Emission excimer Laser Emissionvorrichtung als Laserlichtquelle benutzt. Z.B. in einer Methode des Fabrizierens einer aktiven Matrixart Vorrichtung der Flüssigkristallanzeige, wird ein ununterbrochener heller Emission excimer Laserstrahl zu einem Halbleiterfilm bestrahlt, der verarbeitet wird, um eine lineare Form zu sein, beim Ablichten in einer vertikalen Richtung zur linearen Richtung. Folglich kann konstantere Kristallisation durchgeführt werden, weil Bestrahlungmarkierungen durch einen herkömmlichen Impulslaser vermieden werden können.