A semiconductor memory device (SRAM) comprises memory cells, each of which includes two load transistors, two driver transistors and two transfer transistors. The SRAM cell includes a semiconductor substrate in which the transistors are formed, a first interlayer dielectric formed on the semiconductor substrate, first contact portions formed in the first interlayer dielectric and first wiring layers (node wiring layers and pad layers) formed on the first interlayer dielectric. The first contact portions and the first wiring layers include metal layers made of refractory metal and a refractory metal nitride layers. This semiconductor memory device of the present invention is capable of enhancing an integration degree of wiring layers and achieving a microfabrication.

Приспособление памяти полупроводника (SRAM) состоит из ячейкы памяти, каждое из которых вклюает 2 транзистора нагрузки, 2 транзистора водителя и 2 транзистора перехода. Клетка SRAM вклюает субстрат полупроводника в транзисторы сформированы, первый диэлектрик прослойка сформированный на субстрате полупроводника, сформированные части первого контакта в первый диэлектрик прослойка и первые слои проводки (слои проводки узла и слои пусковой площадки) сформированные на первом диэлектрике прослойка. Части первого контакта и первые слои проводки вклюают слои металла сделанные слоев тугоплавкого металла и нитрида металла refractory. Это приспособление памяти полупроводника присытствыющего вымысла способно увеличивать степень объединения слоев проводки и достигать microfabrication.