The present invention relates to a process and a device for modifying code sequences written into a first memory (2) of a medium. A central processing unit (1) executes code sequences and the first memory contains a main program comprising at least one code sequence executable by the central processing unit (1). The first memory also comprises a second, programmable nonvolatile memory (3), and a third working memory (4). A branch table TAB_DER contained in the second programmable memory contains at least one field containing reference data for a new code sequence stored in one of the memories. Branching instructions allow a deferred branch from the executed code sequence to the new code sequence written into one of the three memories. Instructions in the new code sequence allow the return to a point of the code sequence executed before the branch.

Η παρούσα εφεύρεση αφορά μια διαδικασία και μια συσκευή για τις ακολουθίες κώδικα που γράφονται σε μια πρώτη μνήμη (2) ενός μέσου. Μια μονάδα κεντρικής επεξεργασίας (1) εκτελεί τις ακολουθίες κώδικα και η πρώτη μνήμη περιέχει ένα κύριο πρόγραμμα περιλαμβάνοντας τουλάχιστον μια ακολουθία κώδικα εκτελέσιμη από τη μονάδα κεντρικής επεξεργασίας (1). Η πρώτη μνήμη περιλαμβάνει επίσης μια δεύτερη, προγραμματίσημη αμετάβλητη μνήμη (3), και μια τρίτη λειτουργική μνήμη (4). Ένας πίνακας TAB_DER κλάδων που περιλαμβάνεται στη δεύτερη προγραμματίσημη μνήμη περιέχει τουλάχιστον έναν τομέα που περιέχει τα στοιχεία αναφοράς για μια νέα ακολουθία κώδικα που αποθηκεύεται σε μια από τις μνήμες. Οι διακλαδιμένος οδηγίες επιτρέπουν έναν αναβεβλημένο κλάδο από την εκτελεσμένη ακολουθία κώδικα στη νέα ακολουθία κώδικα που γράφεται σε μια από τις τρεις μνήμες. Οι οδηγίες στη νέα ακολουθία κώδικα επιτρέπουν την επιστροφή σε ένα σημείο της ακολουθίας κώδικα που εκτελείται πριν από τον κλάδο.

 
Web www.patentalert.com

< Method for modifying an integrated circuit

< Standard block architecture for integrated circuit design

> Hardware circuitry to speed testing of the contents of a memory

> Built-in self-repair of semiconductor memory with redundant row testing using background pattern

~ 00064