A MEMs scanning device has a variable resonant frequency. In one
embodiment, the MEMs device includes a flexible arm that extends from an
oscillatory body. An electrical field applies a force to the flexible arm,
thereby bending the flexible arm to change the moment of inertia of the
oscillatory body and a secondary mass carried by the flexible arm. The
shifted combined center of mass changes the resonant frequency of the MEMs
device. In another embodiment, an absorptive material forms a portion of a
torsional arm that supports the oscillatory body. The mechanical
properties of the absorptive material can be varied by varying the
concentration of a gas surrounding the absorptive material. The varied
mechanical properties change the resonant frequency of the scanning
device. A display apparatus includes the scanning device and the scanning
device scans about two or more axes, typically in a raster pattern.
Various approaches to controlling the frequency responses of the scanning
device are described, including active control of MEMs scanners and
passive frequency tuning.
Un dispositif de balayage de MEMs a une fréquence de résonance variable. Dans une incorporation, le dispositif de MEMs inclut un bras flexible qui s'étend d'un corps oscillant. Un champ électrique applique une force au bras flexible, pliant de ce fait le bras flexible pour changer le moment de l'inertie du corps oscillant et d'une masse secondaire portés par le bras flexible. Le centre combiné décalé de la masse change la fréquence de résonance du dispositif de MEMs. Dans une autre incorporation, un matériel absorbant forme une partie d'un bras de torsion qui soutient le corps oscillant. Les propriétés mécaniques du matériel absorbant peuvent être changées en changeant la concentration d'un gaz entourant le matériel absorbant. Les propriétés mécaniques diverses changent la fréquence de résonance du dispositif de balayage. Un appareillage d'affichage inclut le dispositif de balayage et le dispositif de balayage balaye environ deux haches ou plus, typiquement dans un modèle de trame. De diverses approches à commander les réponses en fr3quence du dispositif de balayage sont décrites, y compris la commande active des modules de balayage de MEMs et de l'accord passif de fréquence.
