A process for thin film formation is provided which comprises a step of separation of a substrate constituted of a nonporous Si layer, a porous Si layer formed thereon, and a less porous Si layer formed further thereon into the nonporous Si layer and the less porous Si layer at the porous Si layer, wherein the separation is caused by projecting a laser beam through the side face of the substrate. From the separated substrate, an SOI substrate is prepared, and the non porous Si layer is recycled to the SOI substrate production process. This SOI substrate production process saves the consumption of the material and lowers the production cost. The substrates are separated definitely. A process for producing a photoelectric transducing apparatus such as solar cells with material saving and low cost is also provided in which the porous layer is separated definitely without strong adhesion between the substrate and a jig.

Процесс для образования тонкой пленки обеспечен состоит из шага разъединения субстрата образованного nonporous слоя кремния, пористого слоя кремния сформированного thereon, и более менее пористого слоя кремния сформированного более далее thereon в nonporous слой кремния и более менее пористый слой кремния на пористом слое кремния, при котором разъединение причинено путем проектировать лазерныйа луч через бортовую сторону субстрата. От отделенного субстрата, подготовлен субстрат SOI, и non пористый слой кремния рециркулирован к производственному процессу субстрата SOI. Этот производственный процесс субстрата SOI сохраняет потребление материала и понижает ценаа производства. Субстраты отделены определенно. Процесс для производить светоэлектрический transducing прибор such as фотоэлемента с материальными сбереженияами и низкой ценой также обеспечен в пористый слой отделен определенно без сильного прилипания между субстратом и джигом.