A method of removing Chemical Mechanical Polishing (CMP) residue from a semiconductor substrate is disclosed. The semiconductor substrate with the CMP residue on a surface is placed within a pressure chamber. The pressure chamber is then pressurized. Supercritical carbon dioxide and a solvent are introduced into the pressure chamber. The supercritical carbon dioxide and the chemical are maintained in contact with the semiconductor substrate until the CMP residue is removed from the semiconductor substrate. The pressure chamber is then flushed and vented.

Eine Methode des Entfernens des chemischen mechanischen Polier Überrests (CMP) von einem Halbleitersubstrat wird freigegeben. Das Halbleitersubstrat mit dem CMP Überrest auf einer Oberfläche wird innerhalb eines Druckraumes gesetzt. Der Druckraum wird dann unter Druck gesetzt. Überkritisches Kohlendioxyd und ein Lösungsmittel werden in den Druckraum eingeführt. Das überkritische Kohlendioxyd und die Chemikalie werden in Verbindung mit dem Halbleitersubstrat beibehalten, bis der CMP Überrest vom Halbleitersubstrat entfernt ist. Der Druckraum wird dann spült und gelüftet.