A read/write memory includes a monolithically integrated self-test device which iteratively enables a defect test with a redundancy analysis, without significant external test aids. The test is achieved essentially by virtue of the fact that word lines to be repaired are stored and excluded from further examinations and in each case the line having the most defects not previously detected is always determined and examined first, until either the number of repair lines no longer suffices or no more defects occur. An associated test method is also provided.

Ein Lese-Schreibgedächtnis schließt eine monolithisch integrierte Selbsttestvorrichtung, die wiederholend einem Defekttest mit einer Redundanzanalyse ermöglicht, ohne bedeutende externe Testhilfsmittel ein. Der Test wird im Wesentlichen aufgrund der Tatsache erzielt, daß die repariert zu werden Wortlinien gespeichert werden und ausgeschlossen von den weiteren Prüfungen und in jedem Fall die Linie, welche die meisten Defekte nicht vorher ermitteln läßt, immer zuerst festgestellt und überprüft wird, bis entweder die Zahl Reparaturlinien nicht mehr oder kein genügt, treten mehr Defekte auf. Eine verbundene Testmethode wird auch zur Verfügung gestellt.