An optical semiconductor device is a buried hetero structure type, and includes a semi-insulating semiconductor block layer, a carrier trap layer, and a clad layer and a contact layer. Each of the clad layer and the contact layer is formed by selective growth. The carrier trap layer and the semi-insulating block layer have an etched mesa-structure.

Un dispositivo de semiconductor óptico es un tipo enterrado de la estructura del hetero, e incluye una capa semi-aislador del bloque del semiconductor, una capa de la trampa del portador, y una capa revestida y una capa del contacto. Cada uno de la capa revestida y de la capa del contacto es formada por crecimiento selectivo. La capa de la trampa del portador y la capa semi-aislador del bloque tienen una mesa-estructura grabada al agua fuerte.