A method and apparatus for depositing a low dielectric constant film by reaction of an organosilane or organosiloxane compound and an oxidizing gas at a low RF power level from 10-250 W. The oxidized organosilane or organosiloxane film has good barrier properties for use as a liner or cap layer adjacent other dielectric layers. The oxidized organosilane or organosiloxane film may also be used as an etch stop or an intermetal dielectric layer for fabricating dual damascene structures. The oxidized organosilane or organosiloxane films also provide excellent adhesion between different dielectric layers. A preferred oxidized organosilane film is produced by reaction of methylsilane, CH.sub.3 SiH.sub.3, or dimethylsilane, (CH.sub.3).sub.2 SiH.sub.2, and nitrous oxide, N.sub.2 O, at an RF power level from about 10 to 200 W or a pulsed RF power level from about 20 to 250 W during 10-30% of the duty cycle.

Μια μέθοδος και μια συσκευή για μια χαμηλή ταινία διηλεκτρικής σταθεράς με την αντίδραση ενός organosilane ή organosiloxane μιας ένωσης και μια οξείδωση αέριο σε χαμηλό επίπεδο δύναμης RF από 10-250 W. Οξειδωμένη organosilane ή organosiloxane η ταινία έχει τις καλές ιδιότητες εμποδίων για τη χρήση ως σκάφος της γραμμής ή το στρώμα ΚΑΠ δίπλα σε άλλα διηλεκτρικά στρώματα. Οξειδωμένη organosilane ή organosiloxane η ταινία μπορεί επίσης να χρησιμοποιηθεί δεδομένου ότι χαράξτε τη στάση ή ένα intermetal διηλεκτρικό στρώμα για την κατασκευή των διπλών δομών damascene. Οξειδωμένη organosilane ή organosiloxane οι ταινίες παρέχει επίσης την άριστη προσκόλληση μεταξύ των διαφορετικών διηλεκτρικών στρωμάτων. Μια προτιμημένη οξειδωμένη organosilane ταινία παράγεται από την αντίδραση του methylsilane, CH.sub.3 SiH.sub.3, ή dimethylsilane, (CH.sub.3).sub.2 SiH.sub.2, και νιτρώδες οξείδιο, N.sub.2 ο, σε ένα επίπεδο δύναμης RF από περίπου 10 έως 200 W ή παλόμενο επίπεδο δύναμης RF από περίπου 20 έως 250 W κατά τη διάρκεια 10-30% του κύκλου καθήκοντος.